[发明专利]一种形成磁阻器件的方法以及磁阻器件有效
| 申请号： | 201711443712.0 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108269915B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | J·斯韦茨;S·库埃特 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H10N50/80 | 分类号： | H10N50/80;H10N50/01;H10B61/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 王颖;郭辉 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 依据本发明的一个方面，提供一种形成磁阻器件的方法，该方法包括：在基板上方形成磁性隧道结结构，该磁性隧道结结构在自底向上的方向上包括自由层、隧道势垒层和参考层，在磁性隧道结结构上方形成钉扎层，用于钉扎参考层的磁化方向，在钉扎层上方形成含Cr的覆盖层，以及进行退火步骤，其中Cr从覆盖层至少扩散到钉扎层中。本发明还提供一种磁阻器件和磁阻随机存取存储器MRAM。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 磁阻 器件 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种形成磁阻器件的方法，所述方法包括：在基板上方形成磁性隧道结结构，该磁性隧道结结构在自底向上的方向上包括自由层、隧道势垒层和参考层，在磁性隧道结结构上方形成钉扎层，用于钉扎参考层的磁化方向，在钉扎层上方形成含Cr的覆盖层，以及进行退火步骤，其中Cr从覆盖层至少扩散到钉扎层中。
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