[发明专利]掩模图案模型的生成方法及掩模图案的优化方法有效
| 申请号： | 201711444124.9 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109976087B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 时雪龙;赵宇航;陈寿面;李铭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/76 | 分类号： | G03F1/76;G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种掩模图案模型的生成方法及掩模图案的优化方法。掩模图案模型的生成方法，包括：S11：计算设定光刻工艺条件下的本征函数组，本征函数组包括n个本征函数；S12：获取各测试图案的各定义位置处的成像信号值集合，成像信号值集合包括n个成像信号值，每个成像信号值基于本征函数组中的本征函数与光传输函数的卷积值计算；S13：将各测试图案的每个定义位置处的成像信号值集合作为一神经网络模型的输入；S14：计算各测试图案的连续色调掩模图案，并将连续色调掩模图案作为神经网络模型的输出的训练目标；S15：训练神经网络模型的参数；S16：将训练后的神经网络模型作为掩模图案模型。本发明提供的方法能够获得最优掩模图案。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 模型 生成 方法 优化 | ||
【主权项】：
1.一种掩模图案模型的生成方法，其特征在于，包括：S11：计算设定光刻工艺条件下的本征函数组，所述本征函数组包括n个本征函数，n为大于0的整数；S12：获取各测试图案的各定义位置处的成像信号值集合，所述成像信号值集合包括n个成像信号值，每个所述成像信号值基于所述本征函数组中的本征函数与光传输函数的卷积值计算；S13：将各测试图案的每个定义位置处的所述成像信号值集合作为一神经网络模型的输入；S14：计算各测试图案的连续色调掩模图案，并将所述连续色调掩模图案作为神经网络模型的输出的训练目标；S15：训练所述神经网络模型的参数；S16：将训练后的神经网络模型作为所述掩模图案模型。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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