[发明专利]一种功率半导体器件封装结构及封装方法有效
| 申请号： | 201711444169.6 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108231706B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 武伟;韩荣刚;张喆;李现兵;石浩;张朋;唐新灵;王亮;林仲康;田丽纷 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/482;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李博洋 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种功率半导体器件封装结构及封装方法，该功率半导体器件封装结构包括：至少一个封装子模组，该封装子模组包括：上金属片、定位框架、功率芯片及下金属片，功率芯片设置于下金属片上，上金属片卡合于定位框架中，与定位框架共同设置于功率芯片上，上金属片的尺寸不小于下金属片的尺寸，且上金属片的尺寸与下金属片的尺寸差异小于预设差值，使得上金属片与下金属片面积相当，从而有效地减小了功率半导体器件中芯片的弯曲，避免了芯片因产生裂纹甚至发生脆断而失效，提高了功率半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件封装结构，其特征在于，包括：至少一个封装子模组，所述封装子模组包括：上金属片(11)、定位框架(12)、功率芯片(13)及下金属片(14)；所述功率芯片(13)设置于所述下金属片(14)上；所述上金属片(11)卡合于所述定位框架(12)中，与所述定位框架(12)共同设置于所述功率芯片(13)上；所述上金属片(11)的尺寸不小于所述下金属片(14)的尺寸，且所述上金属片(11)的尺寸与所述下金属片(14)的尺寸差异小于预设差值。
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