[发明专利]碳纳米管提纯方法、薄膜晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 201711444710.3 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108163840B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 谢华飞 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/17 | 分类号： | C01B32/17;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳纳米管的提纯方法，包括：取混合有金属性的单壁碳纳米管和半导体性的单壁碳纳米管的单壁碳纳米管加入含有小分子化合物的有机溶剂中，超声分散，得到碳纳米管悬浊液；将所述碳纳米管悬浊液进行离心处理以去除碳纳米管悬浊液的沉积物，得到半导体性的单壁纳米管上清液。本发明还提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在基板上形成底栅极以及覆盖所述底栅极的底栅绝缘层；用半导体性的单壁纳米管上清液在所述底栅绝缘层上形成有源层；在所述有源层的相对两端分别形成源极和漏极；在所述源极和漏极上依次形成顶栅绝缘层、顶部栅极和钝化层。本发明还提供一种薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 碳纳米管 单壁碳纳米管 薄膜晶体管 半导体性 悬浊液 单壁纳米管 底栅绝缘层 上清液 提纯 漏极 源层 源极 制备 沉积物 绝缘层 小分子化合物 超声分散 离心处理 有机溶剂 钝化层 金属性 顶栅 基板 去除 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管的提纯方法，其特征在于，包括：/n取混合有金属性的单壁碳纳米管和半导体性的单壁碳纳米管的单壁碳纳米管加入含有小分子化合物的有机溶剂中，超声分散，得到碳纳米管悬浊液；/n将所述碳纳米管悬浊液进行离心处理以去除碳纳米管悬浊液的沉积物，得到半导体性的单壁碳纳米管上清液，其中，所述小分子化合物的通式为/n
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