[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201711446096.4 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109980004B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/762;H01L21/76;H01L21/74;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高磊;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底上具有介质层，所述介质层内具有贯穿所述介质层厚度的第一开口；在所述第一开口两侧的所述基底及介质层内形成第二开口，所述第二开口贯穿所述介质层厚度以及部分厚度的基底；在位于所述基底内的所述第二开口内形成应力层；形成所述应力层后，在所述第一开口底部及侧壁上形成N型功函数层；在所述N型功函数层上形成填充满所述第一开口的第一金属层；在所述应力层上形成填充满所述第二开口的第二金属层。本发明在应力层形成之后形成N型功函数层，有利于保证N型功函数层的功函数值符合要求，能够避免半导体结构的阈值电压失配，改善半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有介质层，所述介质层内具有贯穿所述介质层厚度的第一开口；在所述第一开口两侧的所述基底及介质层内形成第二开口，所述第二开口贯穿所述介质层厚度以及部分厚度的基底；在位于所述基底内的所述第二开口内形成应力层；形成所述应力层后，在所述第一开口底部及侧壁上形成N型功函数层；在所述N型功函数层上形成填充满所述第一开口的第一金属层；在所述应力层上形成填充满所述第二开口的第二金属层。
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