[发明专利]基于SiC热电材料的高温热流传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201711447533.4 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108007580B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李铁;田伟;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01J5/12 | 分类号： | G01J5/12;H01L35/32;H01L35/34 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于SiC热电材料的高温热流传感器及其制备方法，包括：SiC衬底，具有第一表面和第二表面，第一表面上设有沟槽及由沟槽围绕形成的平台区域；复合介质膜，覆盖沟槽及平台区域；隔热腔体，设于SiC衬底中，由第二表面向内凹入，位于平台区域的部分复合介质膜下方；P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块，位于平台区域的复合介质膜上，且局部位于隔热腔体上方；绝缘介质层，覆盖P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块以及复合介质膜；金属图层，形成于绝缘介质层上，包括电极及引线，将P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块连接形成热电堆。本发明采用具有优异高温性能的单晶SiC作为热电材料，可实现高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sic 热电 材料 高温 热流 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于SiC热电材料的高温热流传感器，其特征在于，包括：SiC衬底，所述SiC衬底具有第一表面和第二表面，在所述第一表面上设有沟槽以及由所述沟槽围绕形成的平台区域；复合介质膜，位于所述SiC衬底的第一表面，覆盖所述沟槽表面及所述平台区域表面；隔热腔体，设于所述SiC衬底中，由所述SiC衬底的第二表面向内凹入，位于所述平台区域的部分所述复合介质膜的下方；P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块，位于所述平台区域位置的所述复合介质膜上，且局部位于所述隔热腔体的上方；绝缘介质层，覆盖所述P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块以及所述复合介质膜；金属图层，形成于所述绝缘介质层上，包括电极及引线，以将所述P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块连接形成热电堆。
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