[发明专利]雪崩倍增型双向扫描TDICCD

摘要

本发明公开了一种雪崩倍增型双向扫描TDICCD，所述雪崩倍增型双向扫描TDICCD包括像元阵列、多条电荷转移沟道、两条水平转移区、多个雪崩倍增区和多个输出结构；本发明的有益技术效果是：提出了一种雪崩倍增型双向扫描TDICCD，该器件具有较高的信噪比，可以大幅提高成像质量，满足特殊应用需求。

主权项

1.一种雪崩倍增型双向扫描TDICCD，其特征在于：所述雪崩倍增型双向扫描TDICCD包括像元阵列、多条电荷转移沟道(1)、两条水平转移区(2)、多个雪崩倍增区(3)和多个输出结构；所述像元阵列由多个像元构成，像元阵列的上侧边沿形成上输出侧，像元阵列的下侧边沿形成下输出侧；所述多个电荷转移沟道(1)布置在像元阵列中，电荷转移沟道(1)的两端分别与上输出侧和下输出侧相对；第一水平转移区(2)布置在与上输出侧对应的位置处，第二水平转移区(2)布置在与下输出侧对应的位置处，电荷转移沟道(1)两端分别与相应的水平转移区(2)连接，单条水平转移区(2)上设置有1个或1个以上的输出抽头；所述雪崩倍增区(3)的输入端与输出抽头连接，多个雪崩倍增区(3)与多个输出抽头一一对应，雪崩倍增区(3)的输出端与输出结构的输入端连接，多个输出结构与多个雪崩倍增区(3)一一对应；单个输出结构包括输出节点(4)和输出放大器(5)，输出放大器(5)的输入端通过输出节点(4)与雪崩倍增区(3)的输出端相连；所述电荷转移沟道(1)能采用双向扫描方式将像元内的光生电荷转移至相应的水平转移区(2)，所述水平转移区(2)能将收到的光生电荷转移至相应的雪崩倍增区(3)，并通过雪崩倍增区(3)输出至相应的输出结构；光生电荷在雪崩倍增区(3)内通过时，雪崩倍增区(3)能对光生电荷起到雪崩倍增效果。