[发明专利]智能卡片

摘要

本发明涉及一种智能卡片，所述智能卡片包括吸波层、第一胶层、第二胶层、芯片卡及离型膜；所述第一胶层设置于所述吸波层的一侧面，且所述第二胶层设置于所述吸波层的另一侧面；所述芯片卡设置于所述第一胶层的一侧面并与所述吸波层相对；所述离型膜可分离地设置于所述第二胶层的一侧面并与所述吸波层相对；所述的吸波层为一种多层吸波结构，所述多层吸波结构由吸波层Ⅰ、吸波层Ⅱ、吸波层Ⅲ层叠而成，其中，所述吸波层Ⅰ、吸波层Ⅲ、吸波层Ⅱ构成三明治结构，所述吸波层Ⅲ位于中间，所述吸波层Ⅰ与所述第二胶层接触，所述吸波层Ⅱ与所述第一胶层接触。 1

主权项

1.一种智能卡片，其特征在于，所述智能卡片包括吸波层、第一胶层、第二胶层、芯片卡及离型膜；所述第一胶层设置于所述吸波层的一侧面，且所述第二胶层设置于所述吸波层的另一侧面；所述芯片卡设置于所述第一胶层的一侧面并与所述吸波层相对；所述离型膜可分离地设置于所述第二胶层的一侧面并与所述吸波层相对；所述的吸波层为一种多层吸波结构，所述多层吸波结构由吸波层Ⅰ、吸波层Ⅱ、吸波层Ⅲ层叠而成，其中，所述吸波层Ⅰ、吸波层Ⅲ、吸波层Ⅱ构成三明治结构，所述吸波层Ⅲ位于中间，所述吸波层Ⅰ与所述第二胶层接触，所述吸波层Ⅱ与所述第一胶层接触。

2.根据权利要求1所述的一种智能卡片，其特征在于，所述的多层吸波结构中，该吸波层Ⅰ、吸波层Ⅱ、吸波层Ⅲ均是由碳材料/橡胶基复合吸波材料裁剪构成，具体来说，该复合吸波材料是以橡胶为基体，以碳纳米管、碳纤维为填料，通过混炼得到，所述的碳纳米管和碳纤维均匀分布在橡胶基体中。

3.根据权利要求2所述的一种智能卡片，其特征在于，所述碳纳米管为多壁碳纳米管，所述碳纳米管长度为5～10μm，管径为100nm。

4.根据权利要求2所述的一种智能卡片，其特征在于，所述碳纤维长度为500μm，直径为7μm。

5.根据权利要求4所述的一种智能卡片，其特征在于，所述碳纤维表面设有磁性粒子，所述磁性粒子为空心Ni/Cu/Ag粒子；所述的空心Ni/Cu/Ag粒子为多层空心结构，是在空心镍表面依次包覆Cu膜、Ag膜形成的：首先采用羰基铁粉为模板，包覆Ni镀层，然后通过腐蚀内部羰基铁粉，获得空心镍，然后通过化学镀方法在空心镍表面依次包覆Cu膜、Ag膜。

6.根据权利要求5所述的一种智能卡片，其特征在于，所述的空心镍粒径为3μm，镍壳厚度为0.5μm，Cu膜厚度为0.2μm，Ag膜厚度为0.1μm。

7.根据权利要求6所述的一种智能卡片，其特征在于，所述复合吸波材料的制备过程为：

步骤1，制备空心镍

羰基铁粉预处理：将粒径为3μm左右的羰基铁粉在丙酮中超声处理50min，除去其表面的杂质，然后将其放入1.2mol/L的稀盐酸中浸泡40s，除去其表面的氧化膜，处理后将其放入真空干燥箱中干燥；

配置镀液：将0.13mol/L硫酸镍溶液和40g/L酒石酸钠溶液混合，充分搅拌后，加入0.8g/L的硫脲溶液继续搅拌，让硫脲充分溶解，随后加入55g/L的水合肼溶液，充分搅拌均匀，得到浑浊液，向浑浊液中边搅拌边加入1mol/L的氢氧化钠溶液调节pH至11，使得浑浊溶液变为无沉淀的溶液，即为镀镍的镀液；

镀镍：将配置好的镀液放入90℃的水浴中预热，预热10min后将上述预处理的羰基铁粉倒入镀液中，其中羰基铁粉的质量与镀液的体积之比为35g/L，在恒温水浴中90℃匀速搅拌，反应3h后，将粉末过滤，用蒸馏水和乙醇洗涤，在真空干燥箱中50℃干燥2h，得到羰基铁/镍复合粉；

去除羰基铁粉：将所得的羰基铁/镍复合粉放入1mol/L的稀盐酸中，反应充分后，将粉末过滤，干燥得到空心镍；

步骤2，制备空心Ni/Cu/Ag粒子

采用化学镀的方式，在空心镍表面依次包覆Cu膜、Ag膜，Cu膜厚度为0.2μm，Ag膜厚度为0.1μm，得到空心Ni/Cu/Ag粒子；

步骤3，碳纤维预处理

将碳纤维裁剪成所需的长度，然后，将碳纤维浸泡在质量分数为2.5％的NaHCO₃溶液中，充分浸泡2h后取出，放置在自然环境下慢慢晾干；

然后，将碳纤维浸泡在质量分数为13％的氢氧化钾溶液中，浸泡时间为10h，然后取出、晾干；将碳纤维再浸泡在质量分数为5％的硅烷偶联剂溶液中，充分浸泡1h后取出，放置在自然环境下慢慢晾干；

步骤4，碳纤维吸附空心Ni/Cu/Ag粒子

将上述碳纤维与空心Ni/Cu/Ag粒子在高混机中充分混合；

步骤5，混炼

室温下，将氢化丁腈橡胶生胶与上述吸附有空心粒子的碳纤维按比例在双辊开炼机上共混，之后加入多壁碳纳米管，最后加入3phr的过氧化二异丙苯作为硫化剂，将混炼胶在平板硫化仪上于190℃、10Mpa下硫化30min，得到所述的复合吸波材料。

8.根据权利要求1所述的一种智能卡片，其特征在于，所述吸波层的面积大于或等于该芯片卡的面积。

9.根据权利要求1所述的一种智能卡片，其特征在于，所述芯片卡为接触式芯片卡、非接触式芯片卡或混合式芯片卡。