[发明专利]一种实时观测调控碳化硅晶体生长过程中的温度的方法及其保温设备在审
| 申请号： | 201711448622.0 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108103576A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 高攀;忻隽;陈辉;刘学超;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;姚佳雯 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种实时观测调控碳化硅晶体生长过程中的温度的方法及其保温设备，该保温设备具有石墨坩埚，碳化硅原料和碳化硅籽晶分别置于所述石墨坩埚的底部高温区和顶部低温区，所述石墨坩埚外部采用保温桶覆盖，所述保温桶中位于所述碳化硅籽晶顶部的部分具有凸起，所述突起具有中心测温孔，不仅可以实时监测坩埚顶部的温度实现间接实时调控晶体生长，还可通过组合调整参数中心测温孔直径，所述凸起的高度和厚度等来实现对晶体生长界面轴向和径向温度场的调控，从而提高制备的碳化硅晶体的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅晶体 保温设备 石墨坩埚 碳化硅籽晶 生长过程 实时观测 保温桶 测温孔 凸起 调控 晶体生长界面 径向温度场 碳化硅原料 调整参数 晶体生长 实时调控 实时监测 低温区 高温区 突起 轴向 坩埚 制备 外部 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅晶体保温设备，其特征在于，具有石墨坩埚，碳化硅原料和碳化硅籽晶分别置于所述石墨坩埚的底部高温区和顶部低温区，所述石墨坩埚外部采用保温桶覆盖，所述保温桶中位于所述碳化硅籽晶顶部的部分具有凸起，所述突起具有中心测温孔。
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