[发明专利]一种针对PDMS芯片转印的光刻胶模板加工方法

摘要

本发明公开了一种针对PDMS芯片转印的光刻胶模板加工方法，采用在光刻胶微结构与硅片之间增加一层厚度为5‑10um的光刻胶整体过渡层的方式来增加光刻胶微结构与硅片之间粘接能力，该光刻胶模板整体是疏水的，易于脱模，并且光刻胶微结构是做在一整片光刻胶过渡层上，所以大大提高了微结构的稳定性。并且该PDMS转印模板使用寿命比常规模板高出几十次甚至几百次，不仅提升了PDMS芯片制备效率，降低了芯片制备成本，而且减少了资源消耗，为PDMS芯片量产提供了可能。

主权项

1.一种针对PDMS芯片转印的光刻胶模板加工方法，其特征在于，所述加工方法包括如下步骤：(1)硅片清洗：取四寸硅片用10％的丙酮溶液超声清洗10‑15min，然后利用氮气吹干后在180‑220℃温度条件下烘干25‑30min，自然冷却至室温备用；(2)第一次匀胶：将硅片置于匀胶机吸盘上吸取2ml SU8光刻胶置于硅片中间进行匀胶；(3)第一次前烘：将第一次匀胶完成的光刻胶硅片置于热板上进行第一次前烘；(4)第一次曝光：将第一次前烘后自然冷却至室温的光刻胶硅片置于曝光机中曝光；(5)第一次后烘：将第一次曝光完成的光刻胶硅片置于热板上进行第一次后烘；(6)第二次匀胶：将经过上述处理的镀有一层光刻胶的硅片自然冷却至室温后进行第二次匀胶；(7)第二次前烘：将匀胶完成的光刻胶硅片置于热板上进行第二次前烘；(8)第二次曝光：将第二次前烘后自然冷却至室温的光刻胶硅片置于曝光机中曝光；(9)第二次后烘：将第二次曝光完成的光刻胶硅片置于热板上进行第二次后烘；(10)显影：将经过第二次后烘的光刻胶硅片置于直径为15mm的玻璃培养皿内，添加20ml SU8显影液进行显影5‑10min，然后用去离子水漂洗3‑10min后取出，用氮气吹干；(11)坚膜：将显影完成后的硅片光刻胶模板置于热板上烘烤，最后自然冷却即得光刻胶模板。