[发明专利]载流子传输材料及其制备方法和QLED器件有效
| 申请号： | 201711448970.8 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109980099B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李泽伟;曹蔚然 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种载流子传输材料及其制备方法和QLED器件。所述载流子传输材料包括经烷氧基硅烷偶联剂修饰的金属氧化物半导体纳米晶，结构通式为：H |
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| 搜索关键词： | 载流子 传输 材料 及其 制备 方法 qled 器件 | ||
【主权项】：
1.一种载流子传输材料，其特征在于，所述载流子传输材料包括经烷氧基硅烷偶联剂修饰的金属氧化物半导体纳米晶，结构通式为：H2NRSi(OM)3，其中，M为所述金属氧化物半导体纳米晶，R为所述烷氧基硅烷偶联剂中的非烷氧基碳链。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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