[发明专利]一种Nand flash元件及其低格控制方法和装置有效
| 申请号： | 201711449645.3 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108231124B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 庄开锋 | 申请（专利权）人： | 西安格易安创集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12;G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高新区天谷*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种Nand flash元件及其低格控制方法和装置，该Nand flash元件具体包括一个封装体，封装体内封装有Nand flash内核和内部控制器，内部控制器包括低格模块。该内部控制器用于对Nand flash内核进行读操作、写操作、擦除操作、ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理或损耗均衡管理，这样一来也就无需通过片外的主控制器实现上述管理，从而有效解决了主控制器负担较重的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand flash 元件 及其 低格 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种Nand flash元件，其特征在于，包括一个封装体，所述封装体内封装有Nand flash内核和内部控制器，所述内部控制器包括低格模块，其中：所述内部控制器用于对所述Nand flash内核进行ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理或损耗均衡管理；所述低格模块用于根据上位机发送的低格控制程序对所述Nand flash内核进行低级格式化操作。
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