[发明专利]一种增大氮化硅介质槽倾斜角度的T型栅制作方法

摘要

本发明提供一种增大氮化硅介质槽倾斜角度的T型栅制作方法，包括如下步骤：S1、在晶体管表面生长Si3N4介质层；S2、在Si3N4介质层上均匀涂抹高光感正胶并进行前烘；S3、采用步进式曝光方式对高光感正胶进行曝光并经显影形成刻蚀窗口；S4、对高光感正胶进行烘烤，形成侧壁倾斜的刻蚀窗口；S5、在ICP‑RIE中使用CF4和O2从侧壁倾斜的刻蚀窗口刻蚀Si3N4介质层形成氮化硅介质槽，随后去除高光感正胶；射频功率设置为50‑80W，偏置功率设置为8‑12W，腔体压力为3‑5mT，CF4与O2的比例为5:1‑8:1，刻蚀速率为20‑30nm/min，刻蚀时间5‑8min，过刻蚀不超过20％；S6、在晶体管表面均匀涂抹负胶，对负胶进行光刻形成栅帽线条；S7、蒸发栅金属并剥离形成T型栅。本发明能有效提升器件击穿电压和可靠性。 1

主权项

1.一种增大氮化硅介质槽倾斜角度的T型栅制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在晶体管表面生长Si₃N₄介质层；

S2、在Si₃N₄介质层上均匀涂抹高光感正胶并进行前烘；

S3、采用步进式曝光方式对高光感正胶进行曝光并经显影形成刻蚀窗口；

S4、对高光感正胶进行烘烤，形成侧壁倾斜的刻蚀窗口；

S5、在ICP‑RIE设备中使用CF₄和O₂从侧壁倾斜的刻蚀窗口刻蚀Si₃N₄介质层形成氮化硅介质槽，并去除高光感正胶；射频功率设置为50‑80W，偏置功率设置为8‑12W，腔体压力为3‑5mT，CF₄与O₂的比例为5:1‑8:1，刻蚀速率为20‑30nm/min，刻蚀时间5‑8min，过刻蚀不超过20％；

S6、在晶体管表面均匀涂抹负胶，对负胶进行光刻形成栅帽线条；

S7、蒸发栅金属并剥离形成T型栅。

2.根据权利要求1所述的增大氮化硅介质槽倾斜角度的T型栅制作方法，其特征在于，所述步骤S4中采用真空热板进行烘烤，热板温度为130‑140℃，烘烤时间为2‑3min。

3.根据权利要求1所述的增大氮化硅介质槽倾斜角度的T型栅制作方法，其特征在于，所述步骤S4中采用氮气烘箱进行烘烤，氮气烘箱温度为130‑140℃，烘烤时间为25‑35min。

4.根据权利要求1所述的增大氮化硅介质槽倾斜角度的T型栅制作方法，其特征在于，所述步骤S4中刻蚀窗口的倾斜角度为55‑60°。

5.根据权利要求1‑4任一权项所述的增大氮化硅介质槽倾斜角度的T型栅制作方法，其特征在于，所述Si₃N₄介质层的厚度为

6.根据权利要求1‑4任一权项所述的增大氮化硅介质槽倾斜角度的T型栅制作方法，其特征在于，所述步骤S2中高光感正胶的厚度为0.5‑0.7μm。

7.根据权利要求1‑4任一权项所述的增大氮化硅介质槽倾斜角度的T型栅制作方法，其特征在于，所述步骤S2中采用100℃真空热板对晶体管进行前烘，烘烤时间为70‑100s。