[发明专利]微机电系统（MEMS）元件的用于改善可靠性的介电包覆在审
| 申请号： | 201711452186.4 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108264015A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | S·J·雅各布斯;M·N·斯樱;K·J·泰勒 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及微机电系统(MEMS)元件的用于改善可靠性的介电包覆。在所描述的示例中，一种形成微机电器件的方法包括：在衬底上形成(102)包括导电层的第一金属层；在第一金属层上形成(104)第一介电层，其中第一介电层包括一个或多个单独的介电层；在第一介电层上形成(106)牺牲层；在牺牲层上形成(108)第二介电层；在第二介电层上形成(110)第二金属层；以及移除(112)牺牲层以便在第二介电层与第一介电层之间形成间隔。移除牺牲层使得第二介电层能够在至少一个方向上相对于第一介电层移动。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 牺牲层 第一金属层 微机电系统 包覆 介电 移除 第二金属层 微机电器件 导电层 衬底 移动 申请 | ||
【主权项】：
1.一种形成微机电器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成包括导电层的第一金属层；在所述第一金属层上形成第一介电层，其中所述第一介电层包括一个或多个单独的介电层；在所述第一介电层上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成第二介电层；在所述第二介电层上形成第二金属层；以及移除所述牺牲层以便在所述第二介电层与所述第一介电层之间形成间隔，其中移除所述牺牲层使得所述第二介电层能够在至少一个方向上相对于所述第一介电层移动。
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