[发明专利]一种香椿的育苗方法在审
申请号: | 201711452945.7 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108094026A | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 王丹朵 | 申请(专利权)人: | 王丹朵 |
主分类号: | A01G17/00 | 分类号: | A01G17/00;A01G24/12;A01G24/22;A01G24/20;A01G24/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 236631 安徽省阜阳*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种香椿的育苗方法,当年1月中旬将3年生的香椿树连根挖出,挖出部分为以树干为中心的半径约20公分的半圆带土根系;在以原树干为圆心的地面上,挖辐射状深沟;同时以原树干为圆心,挖圆形深沟,切断根系;用配制混合土壤填充深沟和移植坑;平整地面,浇透水,用透明结实的薄膜覆盖;在辐射状沟和圆形沟的交叉处的薄膜上插孔,以便后期浇水;定时浇水;浇水后用土壤覆盖浇水孔;出苗后,在苗所在位置将薄膜开孔,便于出苗;定时浇水,除草;苗高20‑30cm时,即可移栽,香椿树原株移植后,可以当年采摘,创收见效快,本育苗法可以保持香椿树的品种不退化,幼苗生长速度快,成活率高。 | ||
搜索关键词: | 香椿树 深沟 树干 圆心 定时浇水 辐射状 香椿 出苗 根系 挖出 浇水 育苗 移植 薄膜覆盖 薄膜开孔 混合土壤 平整地面 土壤覆盖 幼苗生长 半圆带 交叉处 浇水孔 浇透水 育苗法 圆形沟 除草 插孔 苗高 薄膜 填充 成活率 移栽 配制 结实 采摘 退化 透明 | ||
【主权项】:
1.一种香椿的育苗方法,其特征在于,包括以下几个步骤:步骤一、移株留根:当年1月中旬将3年生的香椿树连根挖出,挖出部分为以树干为中心的半径约20公分的半圆带土根系;步骤二、挖沟:在以原树干为圆心的地面上,挖角度为30-60度的辐射状深沟,深度为50公分深沟,沟宽6-10公分;同时以原树干为圆心,挖半径为40公分和60公分的两个圆形深沟,深度为70公分,沟宽6-10公分,切断根系;用配制混合土壤填充深沟和移植坑;混合土壤包括:土壤1000份、粒径在1mm左右的沙子80份、尿素5份、农家肥100份、农作物秸秆粉碎物100份;步骤三、覆膜:平整地面,浇透水,用透明结实的薄膜覆盖;在辐射状沟和圆形沟的交叉处的薄膜上插孔,以便后期浇水;定时浇水;浇水后用土壤覆盖浇水孔;步骤四、出苗管理:出苗后,在苗所在位置将薄膜开孔,便于出苗;定时浇水,除草;苗高20-30cm时,即可移栽。
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