[发明专利]用于支撑微桥结构的氮化硅-钛-氮化硅悬臂梁制造方法有效
| 申请号： | 201711454696.5 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109607472B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 何勇;方中;陈哲权;苏岩;姜波;周同 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 32203 南京理工大学专利中心 | 代理人： | 唐代盛 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于支撑微桥结构的氮化硅—钛—氮化硅悬臂梁制造方法，包括：在晶圆表面形成电极锚点；在晶圆表面制备牺牲层；在晶圆表面制备第一层氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜和牺牲层上形成连接电极的通孔；在电机锚点上形成电极柱；在晶圆上制备钛薄膜；在晶圆上制备与第一层氮化硅薄膜应力状态相反的第二层氮化硅薄膜；刻蚀第一层氮化硅薄膜、钛薄膜、第二层氮化硅薄膜，形成悬臂梁结构；本发明在薄膜沉积过程中即可完成结构的应力平衡，无需添加额外的工艺步骤，方法更简单，更适应于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硅薄膜 制备 晶圆表面 第一层 氮化硅悬臂 微桥结构 氮化硅 牺牲层 钛薄膜 晶圆 锚点 薄膜沉积过程 悬臂梁结构 工艺步骤 连接电极 应力平衡 应力状态 电极 电极柱 刻蚀 通孔 支撑 制造 电机 | ||
【主权项】：
1.一种用于支撑微桥结构的氮化硅—钛—氮化硅悬臂梁制造方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S10、在晶圆表面形成两个电极锚点；/n步骤S20、在晶圆表面制备牺牲层；/n步骤S30、在晶圆表面制备第一层氮化硅薄膜；采用PECVD法沉积一层第一层氮化硅薄膜，所述第一层氮化硅薄膜呈张应力状态或压应力状态；张应力状态的氮化硅薄膜制备方法如下：/n将晶圆置于真空腔内，抽真空至1.5×10
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