[发明专利]一种逆阻型VDMOS器件

摘要

本发明提供一种逆阻型VDMOS器件，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极、N型漂移区、金属化源极；N型漂移区的下表面具有N型正向场阻止层，N型漂移区的上表面具有N型反向场阻止层、P型体区、沟槽，沟槽从金属化源极的下表面垂直向下依次贯穿N型源区、P型体区、N型反向场阻止层延伸入N型漂移区；N型漂移区中还具有P型柱，P型柱的上表面与沟槽的下表面接触，P型柱的下表面与N型轻掺杂区的上表面接触；本发明提供的一种逆阻型VDMOS器件具有逆向阻断能力，同时场阻止层的存在防止了漂移区电场的穿通效应，降低了漂移区的厚度，使器件能够获得较低的导通电阻。

主权项

1.一种逆阻型VDMOS器件，其特征在于：包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极(1)、N型轻掺杂区(2)、N型漂移区(4)、金属化源极(13)；所述N型轻掺杂区(2)的下表面与金属化漏极(1)的上表面直接接触且形成肖特基接触；所述N型漂移区(4)的下表面具有N型正向场阻止层(3)，所述正向场阻止层(3)位于N型轻掺杂区(2)的正上方且与N型轻掺杂区(2)直接接触；所述N型漂移区(4)的上表面具有N型反向场阻止层(5)、P型体区(6)、沟槽(10)；所述N型反向场阻止层(5)的上表面与P型体区(6)的下表面接触；所述P型体区(6)的上表面还具有N型源区(8)与P型接触区(7)，所述N型源区(8)与P型接触区(7)相邻，且N型源区(8)与P型接触区(7)的上表面均与金属化源极(13)的下表面接触；所述沟槽(10)的上表面与金属化源极(13)的下表面接触；所述沟槽(10)的内部填充有氧化层(11)，且氧化层(11)中具有多晶硅栅电极(12)，所述多晶硅栅电极(12)与金属化源极(13)之间通过氧化层(11)隔离，所述多晶硅栅电极(12)的下表面深度超过P型体区(6)的结深；所述沟槽(10)从金属化源极(13)的下表面，垂直向下依次贯穿N型源区(8)、P型体区(6)、N型反向场阻止层(5)延伸入N型漂移区(4)；所述N型漂移区(4)中还具有P型柱(9)，所述P型柱(9)的上表面与沟槽(10)的下表面接触，P型柱(9)的下表面与N型轻掺杂区(2)的上表面接触；所述P型柱(9)与地电位相连。