[发明专利]一种半导体磁传感器、其制备方法与使用方法在审
| 申请号： | 201711455904.3 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108151768A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 巫远招;刘宜伟;李润伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | G01D5/12 | 分类号： | G01D5/12;H01L43/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体磁传感器，具有场效应晶体管结构，包括半导体基底，源极、漏极与栅极；其中，栅极由与半导体基底连接的具有压电效应的第一栅极以及与第一栅极连接的具有磁致伸缩效应的第二栅极组成；工作状态时，外界磁场作用于第二栅极时场效应晶体管的电信号发生改变，通过测试该电信号实现磁场的探测。该磁传感器结构简单，并且由于结合了场效应晶体管的信号放大作用，能够实现高灵敏度的磁场探测。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体磁传感器 半导体基底 场效应晶体管结构 场效应晶体管 磁传感器结构 磁致伸缩效应 信号放大作用 效应晶体管 磁场探测 高灵敏度 外界磁场 压电效应 栅极连接 漏极 源极 制备 磁场 探测 测试 | ||
【主权项】：
一种半导体磁传感器，其特征是：具有场效应晶体管结构，包括半导体基底，以及与半导体基底相连接的源极、漏极与栅极；其中，栅极由与半导体基底连接的第一栅极以及与第一栅极连接的第二栅极组成，并且第一栅极为压电材料，第二栅极为磁致伸缩材料；工作状态时，外界磁场作用于第二栅极时场效应晶体管的电信号发生改变，通过测试该电信号实现磁场的探测。
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