[发明专利]载纳米银碳纳米管的制备方法在审

专利信息
申请号: 201711456861.0 申请日: 2017-12-28
公开(公告)号: CN108147391A 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 齐学亮;胡军辉 申请(专利权)人: 深圳市百柔新材料技术有限公司
主分类号: C01B32/168 分类号: C01B32/168;C09D11/03;C09D11/101
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 张全文
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种载纳米银碳纳米管的制备方法。所述载纳米银碳纳米管制备方法包括制备表面结合有银离子的碳纳米管、制备表面原位生长有卤化银的碳纳米管和将卤化银曝光分解获得表面原位生长纳米银的碳纳米管等步骤。所述制备方法使得生长的纳米银颗粒能够有效结合在碳纳米管的表面上,并增强了纳米银颗粒与碳纳米管之间的结合强度,同时保证纳米银颗粒能够均匀的分散并结合在碳纳米管的表面上,而且活性高,有效降低了碳纳米管之间的接触电阻,且具有低温烧结特性。
搜索关键词: 碳纳米管 制备 纳米银 纳米银颗粒 表面原位生长 卤化银 低温烧结特性 表面结合 接触电阻 有效结合 活性高 碳纳米 银离子 分解 管制 曝光 生长 保证
【主权项】:
一种载纳米银碳纳米管的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将碳纳米管进行表面酸化和/或氧化处理后,分散于银盐溶液中,获得表面吸附有银离子的碳纳米管;将获得的表面吸附有银离子的所述碳纳米管分散于卤盐溶液中进行卤化银的沉淀反应,获得表面原位生长有卤化银的碳纳米管;将表面原位生长有卤化银的碳纳米管进行曝光分解反应,获得表面原位生长有纳米银的碳纳米管。
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