[发明专利]一种磁传感器、其制备方法与使用方法在审
| 申请号： | 201711457027.3 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108039406A | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 巫远招;刘宜伟;李润伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L41/12 | 分类号： | H01L41/12;H01L41/06;H01L41/47 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁传感器，具有场效应晶体管结构，包括半导体衬底、源极、漏极与栅极；其中，半导体衬底具有压电效应，半导体衬底上设置具有磁致伸缩性能的磁体；工作状态时，外界磁场作用于磁体，场效应晶体管的电信号发生改变，通过测试该电信号的变化实现该外界磁场的探测。该磁传感器结构简单易行，结合了场效应晶体管的信号放大作用，实现了高灵敏度的磁场探测，在磁传感器技术领域中具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 传感器 制备 方法 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器，其特征是：具有场效应晶体管结构，包括半导体衬底，以及与半导体衬底相电连接的源极、漏极与栅极；其中，半导体衬底具有压电效应，半导体衬底上设置具有磁致伸缩性能的磁体；工作状态时，外界磁场作用于磁体，场效应晶体管的电信号发生改变，通过测试该电信号实现该外界磁场的探测。
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