[发明专利]一种碳包覆微纳层次结构硅负极材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201711457110.0 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108199020B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 佘广为;璩方沐;师文生;王建涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 赵晓丹 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳包覆微纳层次结构硅负极材料及其制备方法和应用，所述碳包覆微纳层次结构硅负极材料包括微纳层次结构硅颗粒和包裹在所述微纳层次结构硅颗粒外层的无定型碳层；其中所述微纳层次结构硅颗粒包括一个硅核和呈辐射状分布在所述硅核表面的多孔硅纳米线阵列。本发明的碳包覆微纳层次结构硅负极材料中，微纳层次结构硅颗粒中的硅纳米线之间的空隙以及硅纳米线上的孔洞可以很好地容纳硅的体积膨胀；无定型碳层可以防止电解液与硅直接接触，减少不稳定SEI膜的形成，提高电导率，同时也在一定程度上有效抑制了硅的体积膨胀，抑制了材料的粉化，整体上提高了材料的结构稳定性与电化学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳包覆微纳 层次 结构 负极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种碳包覆微纳层次结构硅负极材料，其特征在于，所述碳包覆微纳层次结构硅负极材料包括微纳层次结构硅颗粒和包裹在所述微纳层次结构硅颗粒外层的无定型碳层；其中所述微纳层次结构硅颗粒包括一个硅核和呈辐射状分布在所述硅核表面的多孔硅纳米线阵列。
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