[发明专利]利用大热场直拉法生产单晶硅时快速进入引晶工序的方法在审
| 申请号： | 201711458846.X | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109972199A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 杨东;梁永生;冉瑞应;李迎春;贾祯;杨少平 | 申请（专利权）人： | 银川隆基硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 钟欢 |
| 地址： | 750021 宁夏回族自治区银*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明公开的利用大热场直拉法生产单晶硅时快速进入引晶工序的方法，硅料熔化后，上轴钨丝绳带动籽晶旋转，石英坩埚反向旋转，同时下降上轴钨丝绳使得籽晶与熔硅相接触，然后调整加热器的功率寻找引晶温度，当加热器维持某一功率一段时间而籽晶未熔断时，则进入稳温状态；在稳温状态中将籽晶下降到原生籽晶的位置熔化之前生长的单晶硅，然后加快石英坩埚反向旋转速度，进入引晶工序。本发明利用大热场直拉法生产单晶硅时快速进入引晶工序的方法可以大大缩短找温时间，而且保证在引晶过程中熔硅温度缓慢降低，从而避免了籽晶因熔硅温度变化快造成热应力和表面张力会产生位错的问题，达到快速进入引晶、缩短无效工时的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 引晶 籽晶 单晶硅 直拉法 大热 熔硅 熔化 钨丝 加热器 石英坩埚 上轴 熔断 热应力 硅料 位错 生产 生长 保证 | ||
【主权项】：
1.利用大热场直拉法生产单晶硅时快速进入引晶工序的方法，其特征在于，硅料熔化后，在直拉法生产单晶硅过程中找温时，上轴钨丝绳带动籽晶旋转，石英坩埚反向旋转，同时下降上轴钨丝绳使得籽晶与熔硅相接触，然后调整加热器的功率寻找引晶温度，当所述加热器维持某一功率一段时间而籽晶未熔断时，则进入稳温状态；在稳温状态中将所述籽晶下降到原生籽晶的位置熔化之前生长的单晶硅，然后加快石英坩埚反向旋转速度，进入引晶工序。
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