[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，一个实施方式的半导体装置包括具有第一面的半导体基板、配置于第一面的绝缘分离膜以及栅极电极。半导体基板具有源极区域、漏极区域、漂移区域以及体区域。绝缘分离膜具有在俯视时配置于漂移区域的内侧的第一部分、在从第一部分朝向源极区域的方向上突出的第二部分以及在从第一部分朝向源极区域的方向上突出且在与第二部分之间夹入漂移区域的第三部分。栅极电极与夹入源极区域和漂移区域之间的体区域的部分绝缘且相对。栅极电极配置成延伸到第二部分以及第三部分的上方。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板，具有第一面；绝缘分离膜，配置于所述第一面；以及栅极电极，所述半导体基板具有源极区域、漏极区域、漂移区域和体区域，所述源极区域与所述第一面相接地配置，所述漏极区域与所述第一面相接地配置，所述漂移区域以围绕所述漏极区域的方式与所述第一面相接地配置，所述体区域被夹入所述漂移区域和所述源极区域之间，并且以围绕所述源极区域的方式与所述第一面相接地配置，所述源极区域、所述漏极区域以及所述漂移区域是第一导电类型，所述体区域是与所述第一导电类型相反的导电类型即第二导电类型，所述绝缘分离膜具有第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分在俯视时配置于所述漏极区域的内侧，所述第二部分在从所述第一部分朝向所述源极区域的方向上突出，所述第三部分在从所述第一部分朝向所述源极区域的方向上突出，并在与所述第二部分之间夹入所述漂移区域，所述栅极电极配置成与被夹入所述源极区域和所述漂移区域之间的所述体区域的部分绝缘且相对，并且延伸到所述第二部分以及所述第三部分的上方。