[发明专利]一种圆片级包覆型芯片封装结构及其封装方法在审

专利信息
申请号: 201711459216.4 申请日: 2017-12-28
公开(公告)号: CN107946260A 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 花轩;陈栋;孙超;张黎;陈锦辉;赖志明 申请(专利权)人: 江阴长电先进封装有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司32200 代理人: 赵华
地址: 214400 江苏省无锡市江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种圆片级包覆型芯片封装结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体和包封体焊球,所述芯片单体上表面设置缓冲层,所述缓冲层于芯片电极上方开设缓冲层开口露出芯片电极的正面,并在缓冲层开口上设置芯片焊球,所述芯片单体的四周侧壁设置粗糙面,所述粗糙面呈沟槽状条纹,所述缓冲层的边缘延展至芯片单体的侧壁,在所述芯片单体的四周和正面设置包封层,所述包封层将芯片焊球完全包覆,露出焊球剖面开口,在所述焊球剖面开口设置包封体焊球;在所述芯片单体的下表面和包封层的下表面设置保护层。本发明能增加包封时芯片与包封料的结合,同时保护芯片边缘防止开裂,缓冲包封料固化时的收缩应力。
搜索关键词: 一种 圆片级包覆型 芯片 封装 结构 及其 方法
【主权项】:
一种圆片级包覆型芯片封装结构,其包括芯片单体和包封体焊球,所述芯片单体表面设有芯片电极及相应电路布局,其特征在于,所述芯片单体上表面设置缓冲层,所述缓冲层于芯片电极上方开设缓冲层开口露出芯片电极的正面,并在缓冲层开口上设置芯片焊球,所述芯片单体的四周侧壁设置粗糙面,所述粗糙面呈沟槽状条纹,所述缓冲层的边缘延展至芯片单体的侧壁,在所述芯片单体的四周和正面设置包封层,所述包封层将芯片焊球完全包覆,露出焊球剖面开口,在所述焊球剖面开口设置包封体焊球;在所述芯片单体的下表面和包封层的下表面设置保护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江阴长电先进封装有限公司,未经江阴长电先进封装有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711459216.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top