[发明专利]低反射复合电极、TFT阵列基板有效
| 申请号： | 201711459657.4 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108598157B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 樊勇;萧宇均;阙成文 | 申请（专利权）人： | 惠州市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/49;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;吕颖 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市仲恺高新技术*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低反射复合电极，其包括依次叠层设置的第一金属层、第一透明材料层和第二金属层。本发明通过光学优化设计提供了一种可实现极低反射率的低反射复合电极，从而相比现有技术中的一般电极，实现了反射率的大幅度降低，其在可见光波段的平均反射率可以降低至3％以下，在亮度贡献最高的绿光区，其平均反射率可以降低至1％以下。本发明还公开了一种TFT阵列基板，其包括如上所述的低反射复合电极。根据本发明的低反射复合电极应用于AM‑OLED和AM‑LCD中时，通过把TFT阵列基板中栅极和/或源漏极的金属电极改变成本发明的低反射复合电极，可以实现省略AM‑OLED中偏光片以及AM‑LCD中低反射涂层的设计，节省成本，提升产品竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 复合 电极 tft 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种低反射复合电极，其特征在于，包括依次叠层设置的第一金属层、第一透明材料层和第二金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠州市华星光电技术有限公司，未经惠州市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711459657.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：LDMOS晶体管及其制造方法
- 下一篇：一种共射共基异质结双极型晶体管
- 同类专利
- 专利分类
