[发明专利]在传感器基体表面制备石墨烯层的方法

摘要

本发明涉及一种在传感器基体表面制备石墨烯层的方法，包括如下步骤：以铜箔为衬底，使用化学气相沉淀法制备并取得石墨烯层，并对其形成支撑膜；去除多余的石墨烯和支撑膜，去除所述衬底；将所述石墨烯层的无支撑膜一面放置在传感器基底表面，使二者接触并经过加热处理使得所述石墨烯层结合在所述基体表面；去掉所述支撑膜，并清洁所述石墨烯层表面；重复上述步骤，得到另一带有支撑膜的石墨烯层，并将其放置到已经过上述步骤处理的传感器基体表面的石墨烯层上；再次去除所述支撑膜，并经过真空加热处理使得两层石墨烯结合在一起。实施本发明的在传感器基体表面制备石墨烯层的方法，具有以下有益效果：其传感器灵敏度较高、能够较快解吸附。

主权项

一种在传感器基体表面制备石墨烯层的方法，其特征在于，包括如下步骤：A)以铜箔为衬底，使用化学气相沉淀法制备并取得附着在所述衬底上的石墨烯层，并对其旋涂PMMA，形成支撑膜；B)去除多余的石墨烯和支撑膜，并利用氧化还原反应去除所述衬底，使得所述石墨烯层仅一面附着在所述支撑膜上；C)在去离子水中将所述石墨烯层的无支撑膜一面放置在经过处理的传感器基底表面，使二者接触并经过加热处理使得所述石墨烯层结合在所述基体表面；D)去掉所述支撑膜，并清洁所述石墨烯层表面；E)重复上述步骤A)‑C)，得到另一带有支撑膜的石墨烯层，并将其无支撑膜一面在去离子水中放置到已经过上述步骤处理的传感器基体表面的石墨烯层上；F)再次去除所述支撑膜，并经过真空加热处理使得两层石墨烯结合在一起，得到由所述两次生成并转移覆盖在所述传感器基底上的、存在带隙的第一石墨烯层。