[发明专利]一种基于三维复合漏极的GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201711459745.4 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108321199B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 张凯;朱广润;孔月婵;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 吴树山 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于三维复合漏极的GaN高电子迁移率晶体管，其结构自下而上依次包括衬底、缓冲层、势垒层，所述势垒层的上方自左向右依次平行设有源极、钝化层、肖特基漏极、欧姆漏极，所述钝化层的上方设有栅极；其特征在于：欧姆漏极靠近栅极的一侧设有三维肖特基二极管；三维肖特基二极管与欧姆漏极构成三维复合漏极；三维肖特基二极管的结构包括周期性排列的GaN基三维鳍片和肖特基漏极；GaN基三维鳍片之间设有刻蚀形成的隔离槽；肖特基漏极一部分包裹于GaN基三维鳍片的上方和两侧，另一部分覆盖于GaN基三维鳍片的相邻之间的隔离槽上。本发明能够抑制肖特基漏边缘电场和电流崩塌并降低开态电阻，提高正向击穿与反向阻断能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 三维 复合 gan 电子 迁移率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于三维复合漏极的GaN高电子迁移率晶体管，包括衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(3)、源极(4)、欧姆漏极(5)、钝化层(6)、GaN基三维鳍片(7)、肖特基漏极(8)和栅极(9)；所述GaN高电子迁移率晶体管的结构自下而上依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(3)，所述势垒层(3)的上方自左向右依次平行设有源极(4)、钝化层(6)、肖特基漏极(8)、欧姆漏极(5)，所述钝化层(6)的上方设有栅极(9)；其特征在于，所述欧姆漏极(5)靠近栅极(9)的一侧设有三维肖特基二极管；所述三维肖特基二极管与欧姆漏极(5)构成三维复合漏极；所述三维肖特基二极管的结构包括周期性排列的GaN基三维鳍片(7)和肖特基漏极(8)；所述GaN基三维鳍片(7)之间设有刻蚀形成的隔离槽；所述肖特基漏极(8)的一部分包裹于所述GaN基三维鳍片(7)的上方和两侧，另一部分覆盖于所述GaN基三维鳍片(7)的相邻之间的隔离槽上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711459745.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
