[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711460739.0 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109979943B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 曾暄君;萧学钧;张子云;黄启政;施秉嘉 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制造方法。所述半导体元件包括基底、多个隔离结构、电荷存储层以及导体层。所述基底具有存储器区与逻辑区。所述存储器区的所述基底具有多个半导体鳍。所述隔离结构配置在所述基底中，以隔离所述半导体鳍。所述半导体鳍突出于所述隔离结构。所述电荷存储层覆盖所述半导体鳍。所述导体层横越所述半导体鳍与所述隔离结构，使得所述电荷存储层配置在所述导体层与所述半导体鳍之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包括：基底，具有存储器区与逻辑区，所述存储器区的所述基底具有多个半导体鳍；多个隔离结构，配置在基底中，以隔离所述半导体鳍，其中所述半导体鳍突出于所述隔离结构；以及电荷存储层，覆盖所述半导体鳍；导体层，横越所述半导体鳍与所述隔离结构，使得所述电荷存储层配置在所述导体层与所述半导体鳍之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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