[发明专利]高功函数可调的过渡金属氮化物材料、其制备方法及应用有效
| 申请号： | 201711461002.0 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109979802B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 蒋春萍;李玉雄;谷承艳;隋展鹏;刘峰峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种高功函数可调的过渡金属氮化物材料、其制备方法及应用。在一典型实施例中，所述的制备方法包括：在作为衬底的p型半导体材料上依次生长过渡金属氮化物、氮化硼或石墨；以及，对所获的氮化硼或石墨/过渡金属氮化物复合结构材料进行高温退火，使氮化硼中的硼元素或石墨中的C元素热扩散至过渡金属氮化物中，从而获得高功函数可调的过渡金属氮化物材料。本发明过渡金属氮化物材料的制备工艺简单高效、便于调控，易于大规模实施，同时所获过渡金属氮化物材料的功函数较之现有技术有显著提高，而且该功函数还是可以方便调控的，能最大限度的实现过渡金属氮化物与P型宽带隙半导体材料的功函数的匹配，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 函数 可调 过渡 金属 氮化物 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种高功函数可调的过渡金属氮化物材料，其特征在于包括过渡金属氮化物基材以及掺杂于所述基材内的掺杂元素，所述掺杂元素包括B或C，并且所述过渡金属氮化物材料的功函数大于5eV。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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