[发明专利]薄膜晶体管的制作方法及阵列基板的制作方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法，其中数据线和源漏极的制作方法具体为：S21、分别制作数据线材料膜层和源漏极材料膜层；S22、制作光阻材料膜层；S23、采用半色调掩膜法刻蚀光阻材料膜层形成光阻层，获得第一蚀刻基板；S24、采用4 Mask工艺刻蚀第一蚀刻基板，在栅极绝缘层上形成数据线，在有源层上形成源漏极，在源漏极间形成背沟道，获得薄膜晶体管。根据本发明的制作方法通过设计线宽较大的数据线材料膜层和源漏极材料膜层，并结合半色调掩膜法形成光阻层，可有效避免数据线和源漏极的锯齿侧边，改善了铜质的数据线和源漏极的侧边干刻异物，形成正常taper角，改善了台阶覆盖性。本发明还公开了基于上述薄膜晶体管的制作方法来制作阵列基板的方法。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制作方法，包括步骤：S1、在衬底上依次制作栅极、栅极绝缘层和有源层；S2、在所述栅极绝缘层上制作数据线，在所述有源层上制作源漏极，并刻蚀所述源漏极间的有源层以形成背沟道，获得薄膜晶体管；其特征在于，所述步骤S2的具体方法包括下述步骤：S21、在所述栅极绝缘层上制作数据线材料膜层，在所述有源层上制作源漏极材料膜层；S22、在所述数据线材料膜层和所述源漏极材料膜层上均制作光阻材料膜层；S23、采用半色调掩膜法刻蚀所述光阻材料膜层，形成光阻层，获得第一蚀刻基板；其中，所述数据线材料膜层上的光阻层的边缘处的厚度小于中心处的厚度，所述数据线材料膜层上的光阻层的中心处的宽度与预形成的数据线的宽度相当；并且所述源漏极材料膜层上的光阻层的边缘处和中心处的厚度均小于边缘处与中心处之间的厚度，所述源漏极材料膜层上的光阻层的中心处延伸至边缘处的宽度与预形成的源漏极的边缘间距相当；S24、采用4Mask工艺刻蚀所述第一蚀刻基板，在所述栅极绝缘层上形成所述数据线，在所述有源层上形成所述源漏极，在所述源漏极间形成所述背沟道，获得所述薄膜晶体管。