[发明专利]可自停止抛光的MRAM器件的制作方法与MRAM器件有效
| 申请号： | 201711462222.5 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109980081B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 王雷;刘鲁萍 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01;H10N50/80;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种可自停止抛光的MRAM器件的制作方法与MRAM器件。该制作方法包括：步骤S1，在衬底的表面上依次叠置设置底电极层和MTJ结构层；步骤S2，去除部分的底电极层以及部分的MTJ结构层，形成底电极以及预MTJ单元；步骤S3，在步骤S2形成的结构的裸露表面上设置第一介电层；步骤S4，对预MTJ单元进行刻蚀，形成MTJ单元，且MTJ单元与第一介电层之间具有凹槽；步骤S5，在步骤S4形成的结构的裸露表面上依次设置抛光阻挡层与第二介电层；步骤S6，至少采用化学机械抛光法去除第一表面所在平面上的第二介电层以及抛光阻挡层，获得平整的表面。该制作方法提高了整片晶圆表面均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 停止 抛光 mram 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种可自停止抛光的MRAM器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤S1，在衬底(1)的表面上依次叠置设置底电极层(5)和MTJ结构层(6)；步骤S2，去除部分的所述底电极层(5)以及部分的所述MTJ结构层(6)，形成底电极(50)以及预MTJ单元(61)；步骤S3，在所述步骤S2形成的结构的裸露表面上设置第一介电层(8)，所述第一介电层(8)的远离所述衬底(1)的表面与所述衬底(1)的最小距离为h1，所述预MTJ单元(61)的远离所述衬底(1)的表面与所述衬底(1)的最大距离为h2，h1≥h2；步骤S4，对所述预MTJ单元(61)进行刻蚀，形成MTJ单元(62)，且所述MTJ单元(62)与所述第一介电层(8)之间具有凹槽，所述MTJ单元(62)的远离所述衬底(1)的表面为第一表面，所述第一表面与所述衬底(1)的距离为h2；步骤S5，在所述步骤S4形成的结构的裸露表面上依次设置抛光阻挡层(9)与第二介电层(10)，所述第二介电层(10)的裸露表面与所述衬底(1)的最小距离为h3，所述抛光阻挡层(9)的远离所述衬底(1)的表面与所述衬底(1)的最大距离为h4，h3>h4；以及步骤S6，至少采用化学机械抛光法去除所述第一表面所在平面上的所述第二介电层(10)以及所述抛光阻挡层(9)，使得所述第一表面、剩余的所述抛光阻挡层(9)的裸露表面、剩余的所述第一介电层(8)的裸露表面以及剩余的所述第二介电层(10)的裸露表面在同一平面上。
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