[发明专利]压差式气体微流量传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201711462917.3 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108254031B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 宋芳 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | G01F1/36 | 分类号： | G01F1/36;G01F1/44 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 201620 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种压差式气体微流量传感器，包括一单晶硅基片及集成于该单晶硅基片同一面上的一个气体微沟道及两个压力传感器；气体微沟道沿211晶向埋设于单晶硅基片内，由文丘里沟道段和连接在文丘里沟道段两端的匀速沟道段组成，文丘里沟道段由喉道和分别位于喉道两端的收缩段和扩散段组成，气体微沟道的两端设有气体出/入口；两个压力传感器分别通过取压通道与匀速沟道段和喉道连接。与现有技术相比，本发明将传统宏观的文丘里管引入到硅基MEMS微流量传感器领域，实现了微流量气体的快速、准确的检测和芯片小尺寸、低成本和便捷式封装等特点，具有广泛应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 压差式 气体 流量传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种压差式气体微流量传感器，其特征在于，包括一单晶硅基片(5)及集成于该单晶硅基片(5)同一面上的一个气体微沟道及两个压力传感器(3)；所述的气体微沟道沿<211>晶向埋设于单晶硅基片(5)内，由文丘里沟道段(2)和连接在文丘里沟道段(2)两端的匀速沟道段(1)组成，文丘里沟道段(2)由喉道(22)和分别位于喉道(22)两端的收缩段(21)和扩散段(23)组成，气体微沟道的两端设有气体出/入口(4)；两个压力传感器(3)分别通过取压通道(8)与匀速沟道段(1)和喉道(22)连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海工程技术大学，未经上海工程技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711462917.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种防变形的旋进旋涡流量计
- 下一篇：河流超声波时差法流量计算方法
