[发明专利]单面去除硅片掺杂层的方法在审
| 申请号： | 201711463248.1 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108198757A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 吴坚;蒋方丹;邢国强 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种单面去除硅片掺杂层的方法，所述方法包括如下步骤：(1)将硅片的待刻蚀面向上放置；(2)将硅片水平自旋，同时滴加刻蚀液，刻蚀除去掺杂层；(3)刻蚀完毕，保持硅片水平自旋，滴加清洗液，清洗残留刻蚀液。本发明采用自旋方式，使刻蚀液平铺在硅片待刻蚀面的表面，反应去除掺杂层，由于刻蚀液能够较快速的在硅片表面流动，刻蚀时间短，能够抑制刻蚀液与绒面的反应，保护绒面结构，能够通过控制滴加速度、旋转速度等条件控制刻蚀液在硅片上的停留时间和停留量，从而控制刻蚀反应的程度，尽可能保护绒面结构。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀液 刻蚀 硅片 自旋 去除 硅片掺杂 绒面结构 掺杂层 滴加 硅片表面 条件控制 停留 清洗液 平铺 清洗 残留 流动 | ||
【主权项】：
1.一种单面去除硅片掺杂层的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)将硅片的待刻蚀面向上放置；(2)将硅片水平自旋，同时滴加刻蚀液，刻蚀除去掺杂层；(3)刻蚀完毕，保持硅片水平自旋，滴加清洗液，清洗残留刻蚀液；可选地，(4)停止滴加液体，去除残留液体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司，未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711463248.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
