[发明专利]红外探测器的量子点有源区结构、其制作方法及红外探测器有效
| 申请号： | 201711463462.7 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108198895B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 刘红梅;孟田华;田翠锋;杨春花;仝庆华;康永强 | 申请（专利权）人： | 山西大同大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 太原九得专利代理事务所(普通合伙) 14117 | 代理人： | 高璇 |
| 地址： | 037009 山西省大同*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种红外探测器的量子点有源区结构、其制作方法及红外探测器，包括：衬底，所述衬底上具有缓冲层，所述缓冲层上具有第一间隔层，所述第一间隔层上具有一个或多个层叠设置在一起的量子点复合层，所述量子点复合层包括下方的量子点层和上方的第二间隔层，位于最上方的第二间隔层上具有金属层，所述金属层上具有阵列式通孔，所述衬底的背面为光线的入射面；本发明的结构和制造工艺较简单，且吸收率较高，适用于光电探测器领域。 | ||
| 搜索关键词： | 红外探测器 量子 有源 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.红外探测器的量子点有源区结构，包括：衬底(101)，其特征在于：所述衬底(101)上具有缓冲层(102)，所述缓冲层(102)上具有第一间隔层(103)，所述第一间隔层(103)上具有一个或多个层叠设置在一起的量子点复合层，所述量子点复合层包括下方的量子点层(104)和上方的第二间隔层(105)，位于最上方的第二间隔层(105)上具有金属层(106)，所述金属层(106)上具有阵列式通孔(107)，所述衬底(101)的背面为光线的入射面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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