[发明专利]无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法

摘要

本发明公开一种无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法，该结构包括：半导体衬底(80)；生成于半导体衬底的N阱(60)和P阱(70)；高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)置于N阱(60)上部，高浓度P型掺杂(20)、N阱(60)及P阱(70)构成等效PNP三极管结构，高浓度N型掺杂(24)、高浓度P型掺杂(26)置于P阱(70)上部，N阱(60)、基体(80)/P阱(70)与高浓度N型掺杂(24)构成等效NPN三极管结构，高浓度N型掺杂(22)置于N阱(60)与P阱(70)分界处上方,高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)间用宽度为S的浅沟道隔离层(10)隔离，高浓度N型掺杂(28)与高浓度P型掺杂(22)之间为N阱(60)的一部分。

主权项

1.一种无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构，其特征在于，该ESD保护结构包括：半导体衬底(80)；生成于所述半导体衬底中的N阱(60)和P阱(70)；第一高浓度P型掺杂(20)、第一高浓度N型掺杂(28)置于N阱(60)上部，第一高浓度P型掺杂(20)、N阱(60)以及P阱(70)构成等效PNP三极管结构，第二高浓度N型掺杂(24)、第二高浓度P型掺杂(26)置于P阱(70)上部，N阱(60)、半导体衬底(80)/P阱(70)与第二高浓度N型掺杂(24)构成等效NPN三极管结构，第三高浓度P型掺杂(22)置于N阱(60)与P阱(70)分界处上方,所述第一高浓度P型掺杂(20)、第一高浓度N型掺杂(28)间用宽度为S的浅沟道隔离层(10)隔离，所述第一高浓度N型掺杂(28)与第三高浓度P型掺杂(22)之间为N阱(60)的一部分；所述第一高浓度P型掺杂(20)左侧放置浅沟道隔离层(10)；所述第三高浓度P型掺杂(22)、第二高浓度N型掺杂(24)、第二高浓度P型掺杂(26)间用浅沟道隔离层(10)隔离；所述第二高浓度P型掺杂(26)右侧放置浅沟道隔离层(10)；利用金属连接所述第一高浓度P型掺杂(20)、第一高浓度N型掺杂(28)构成该ESD保护结构的阳极A，利用金属连接所述第二高浓度N型掺杂(24)、第二高浓度P型掺杂(26)构成该ESD保护结构的阴极K。