[发明专利]一种真空加热系统、晶片剥离装置及方法有效
| 申请号： | 201711465595.8 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108346597B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 冯玙璠;陈治贤;庄昌辉;范小贞;赵前来;黄汉杰;何江玲;尹建刚;高云峰 | 申请（专利权）人： | 大族激光科技产业集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;B23K26/064;B23K26/18 |
| 代理公司： | 深圳市道臻知识产权代理有限公司 44360 | 代理人： | 陈琳 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种真空加热系统、晶片剥离装置及方法，所述真空加热系统包括：加热圈固定板，呈环状，且带有一圈环状的凹槽；加热圈，呈环状，设置在加热圈固定板的凹槽内；隔热板，呈环状，设置在加热圈的上部；吸嘴固定板，设置在隔热板的上部；以及多个真空吸嘴，对称均匀的设置在吸嘴固定板上用于吸附剥离后的晶片将其移开。本发明通过设置真空加热系统，能够在晶片被粘合的区域上对粘合层材料进行加热，使其融化，从而使得晶片剥离完全；同时通过真空加热系统的真空吸嘴可以对剥离后的晶片进行吸附，便于晶片的搬运，避免破损，提高晶片剥离的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 加热 系统 晶片 剥离 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种真空加热系统，其特征在于，包括：加热圈固定板，呈环状，且带有一圈环状的凹槽；加热圈，呈环状，设置在加热圈固定板的凹槽内；隔热板，呈环状，设置在加热圈的上部；吸嘴固定板，设置在隔热板的上部；以及多个真空吸嘴，对称均匀的设置在吸嘴固定板上用于吸附剥离后的晶片将其移开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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