[发明专利]一种屏蔽栅功率器件及制造方法在审
| 申请号： | 201711466675.5 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109979987A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 李东升 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体芯片技术领域，提供了一种屏蔽栅功率器件及制造方法，屏蔽栅功率器件包括了衬底、外延层、沟槽离子注入区、场氧化层、第一多晶层、栅极、栅极氧化层、阱区、源极、层间绝缘层以及金属层；所述外延层包括第一外延层和第二外延层，所述第一外延层位于所述第二外延层上方，所述第二外延层的电阻率大于所述第一外延层的电阻率；通过采用较低电阻率的第一外延层覆盖在较高电阻率的第二外延层上使得外延层的电场降低，从而在相同厚度的外延层下获得更高的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 功率器件 屏蔽栅 电阻率 半导体芯片 层间绝缘层 离子注入区 栅极氧化层 场氧化层 低电阻率 电场降低 高电阻率 击穿电压 多晶层 金属层 衬底 源极 阱区 制造 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种屏蔽栅功率器件，其特征在于，包括：衬底、外延层、沟槽离子注入区、场氧化层、第一多晶层、栅极、栅极氧化层、阱区、源极、层间绝缘层以及金属层；所述外延层包括第一外延层和第二外延层，所述第一外延层位于所述第二外延层上方，所述第二外延层的电阻率大于所述第一外延层的电阻率。
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