[发明专利]一种溴铅铯单晶的水平移动区熔制备方法

摘要

本发明公开了一种溴铅铯单晶的水平移动区熔制备方法，具体包括以下步骤：(1)将石英安瓿置于反应炉腔内，通入甲烷进行镀碳膜处理得到镀碳安瓿；(2)向该镀碳安瓿内装入溴铅铯粉料，抽真空并密封，置于热处理炉中使溴铅铯粉料先熔化后降温凝固形成多晶料棒；(3)将装有多晶料棒的密封安瓿置于水平移动区熔炉内，将加热器升温至620‑650℃，使加热器从密封安瓿的尖端开始移动至密封安瓿的尾端，由此完成溴铅铯晶体的生长，得到溴铅铯晶体。本发明通过对其关键的整体流程工艺设计、以及各个步骤的反应条件及参数进行改进，与现有技术相比能够有效解决晶体生长过程中机械震动大、晶体内部的热应力高、难以生长大尺寸溴铅铯单晶等问题。

主权项

1.一种溴铅铯单晶的水平移动区熔制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将洁净干燥的带有圆锥形尖端的圆柱形石英安瓿置于反应炉腔内抽至真空，然后将炉腔升温至1000‑1150℃，在通入载气的同时向该石英安瓿中通入甲烷，从而对该石英安瓿内壁进行镀碳膜处理得到镀碳安瓿；(2)向所述步骤(1)得到的所述镀碳安瓿内装入溴铅铯粉料，抽真空并密封得到密封安瓿，然后将装有该溴铅铯粉料的密封安瓿置于热处理炉中，将该热处理炉升温使溴铅铯粉料熔化，然后冷却使熔化状态的溴铅铯凝固形成多晶料棒，得到装有多晶料棒的密封安瓿；(3)将所述步骤(2)得到的所述装有多晶料棒的密封安瓿置于水平移动区熔炉的石英管中，将所述水平移动区熔炉的加热器移至该密封安瓿的尖端，并将该加热器升温至620‑650℃，然后以5‑20μm/min的速度移动该加热器，使该加热器从所述密封安瓿的尖端开始移动至该密封安瓿的另一端，由此完成溴铅铯晶体的生长过程，得到溴铅铯晶体。