[发明专利]分离装置及分离方法在审
申请号: | 201711468567.1 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN109427618A | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | 杨镇在;杨克勤;陈世昌;王正苡;吴彦葶 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院;创智智权管理顾问股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/78 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开一种分离装置及分离方法。该分离装置,适于将可挠薄膜从基板分离。分离装置包括分离单元及离形纹调整单元。分离单元适于施加拉力于可挠薄膜及基板的至少其中之一,以使可挠薄膜与基板相互分离。在可挠薄膜与基板相互分离的过程中,可挠薄膜的尚未分离于基板的部分与可挠薄膜的已分离于基板的部分之间形成离形纹。离形纹调整单元包括至少一位移感测元件及至少一施压元件。位移感测元件适于感测可挠薄膜与基板的相对位移状态以判断离形纹的分布。施压元件适于施加下压力于可挠薄膜或基板并依据相对位移状态而增加或减少下压力,以调整离形纹的分布。 | ||
搜索关键词: | 可挠 薄膜 基板 离形 分离装置 位移感测元件 调整单元 分离单元 施压元件 相对位移 下压力 施加 基板分离 感测 | ||
【主权项】:
1.一种分离装置,适于将可挠薄膜从基板分离,其特征在于,该分离装置包括:分离单元,适于施加拉力于该可挠薄膜及该基板的至少其中之一,以使该可挠薄膜与该基板相互分离,其中在该可挠薄膜与该基板相互分离的过程中,该可挠薄膜的尚未分离于该基板的部分与该可挠薄膜的已分离于该基板的部分之间形成离形纹;以及离形纹调整单元,包括至少一位移感测元件及至少一施压元件,其中该至少一位移感测元件适于感测该可挠薄膜与该基板的相对位移状态以判断该离形纹的分布,该至少一施压元件适于施加下压力于该可挠薄膜或该基板并依据该相对位移状态而增加或减少该下压力,以调整该离形纹的分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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