[发明专利]具有堆叠结构的CMOS图像传感器芯片及其形成方法在审
申请号: | 201711468583.0 | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN108269814A | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 万孟勋;陈思莹;杨敦年;刘人诚 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种器件,包括具有在其中的图像传感器的传感器芯片。读出芯片位于图像传感器芯片下方并且与图像传感器芯片接合,其中,读出芯片在其中包括从基本上由复位晶体管、源极跟随器、行选择器以及它们的组合所组成的组中选择的逻辑器件。逻辑器件和图像传感器相互电耦合并且是同一像素单元的部分。外围电路芯片位于读出芯片下方并且与读出芯片接合,其中,外围电路芯片包括逻辑电路。本发明还提供了具有堆叠结构的CMOS图像传感器芯片及其形成方法。 | ||
搜索关键词: | 芯片 读出 图像传感器芯片 图像传感器 堆叠结构 逻辑器件 外围电路 传感器芯片 复位晶体管 源极跟随器 同一像素 芯片接合 行选择器 接合 电耦合 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:图像传感器芯片,其中包括图像传感器;读出芯片,位于所述图像传感器下方并与所述图像传感器接合,其中,在所述读出芯片中包括从由复位晶体管、源极跟随器、行选择器以及它们的组合所组成的组中选择的逻辑器件,并且所述逻辑器件和所述图像传感器相互电耦合且是同一像素单元的一部分;以及外围电路芯片,位于所述读出芯片下方并与所述读出芯片接合,其中,所述外围电路芯片包括逻辑电路,其中,所述逻辑电路进一步包括图像信号处理(ISP)电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的