[发明专利]具有堆叠结构的CMOS图像传感器芯片及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201711468583.0 申请日: 2012-12-26
公开(公告)号: CN108269814A 公开(公告)日: 2018-07-10
发明(设计)人: 万孟勋;陈思莹;杨敦年;刘人诚 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种器件,包括具有在其中的图像传感器的传感器芯片。读出芯片位于图像传感器芯片下方并且与图像传感器芯片接合,其中,读出芯片在其中包括从基本上由复位晶体管、源极跟随器、行选择器以及它们的组合所组成的组中选择的逻辑器件。逻辑器件和图像传感器相互电耦合并且是同一像素单元的部分。外围电路芯片位于读出芯片下方并且与读出芯片接合,其中,外围电路芯片包括逻辑电路。本发明还提供了具有堆叠结构的CMOS图像传感器芯片及其形成方法。
搜索关键词: 芯片 读出 图像传感器芯片 图像传感器 堆叠结构 逻辑器件 外围电路 传感器芯片 复位晶体管 源极跟随器 同一像素 芯片接合 行选择器 接合 电耦合
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:图像传感器芯片,其中包括图像传感器;读出芯片,位于所述图像传感器下方并与所述图像传感器接合,其中,在所述读出芯片中包括从由复位晶体管、源极跟随器、行选择器以及它们的组合所组成的组中选择的逻辑器件,并且所述逻辑器件和所述图像传感器相互电耦合且是同一像素单元的一部分;以及外围电路芯片,位于所述读出芯片下方并与所述读出芯片接合,其中,所述外围电路芯片包括逻辑电路,其中,所述逻辑电路进一步包括图像信号处理(ISP)电路。
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