[发明专利]复合材料和QLED器件在审

专利信息
申请号: 201711468934.8 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN109994618A 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 王雄志;向超宇;李乐;张滔;辛征航;李雪 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;B82Y30/00
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 官建红
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于量子点技术领域,具体涉及一种复合材料和QLED器件。该QLED器件包括层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极,所述阳极和所述量子点发光层之间设置有空穴功能层,所述空穴功能层含有空穴功能材料和磁性材料;其中,所述空穴功能材料为空穴注入材料或空穴传输材料。本发明的QLED器件中,因磁性材料可以调节空穴迁移率,从而改善载流子的注入平衡,因此,该QLED器件具有很好的发光效率和稳定性。
搜索关键词: 空穴 量子点 阳极 磁性材料 功能材料 复合材料 发光层 功能层 载流子 空穴传输材料 空穴注入材料 阴极 空穴迁移率 层叠设置 发光效率 注入平衡
【主权项】:
1.一种QLED器件,包括层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极,其特征在于,所述阳极和所述量子点发光层之间设置有空穴功能层,所述空穴功能层含有空穴功能材料和磁性材料;其中,所述空穴功能材料为空穴注入材料或空穴传输材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL集团股份有限公司,未经TCL集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711468934.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top