[发明专利]一种预防对位偏移的凸点结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201711469126.3 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108281374A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 张永新 | 申请（专利权）人： | 苏州通富超威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/56 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 姚姣阳 |
| 地址： | 215021 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种预防对位偏移的凸点结构及其制备方法，包括基板，其具有衬于底部导电的基底，和钝化层，其设置于基底上沿，且具有镶嵌于钝化层上的金属凸点；金属凸点包括柱体和凹型头部，柱体的底部通过焊接层与基底相连，其顶部连接凹型头部，凹型头部的凹型圆弧直径小于柱体的截面直径；凹型头部使基板凸点与芯片凸点有更大的接触面积，让基本凸点的凹型头部可以卡住芯片上的凸点，使其在水平位置不发生偏移，达到贴装精准度。保证回流焊结束前，芯片和基板对位准确。 | ||
| 搜索关键词： | 凹型 凸点 基底 柱体 对位偏移 金属凸点 凸点结构 芯片 钝化层 基板 制备 凹型圆弧 基板对位 焊接层 回流焊 精准度 偏移 导电 贴装 卡住 预防 镶嵌 保证 | ||
【主权项】：
1.一种预防对位偏移的凸点结构，其特征在于，包括基板，其具有衬于底部导电的基底，和钝化层，其设置于基底上沿，且具有镶嵌于所述钝化层上的金属凸点；所述金属凸点包括柱体和凹型头部，所述柱体的底部通过焊接层与所述基底相连，其顶部连接所述凹型头部，所述凹型头部的凹型圆弧直径小于柱体的截面直径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
