[发明专利]CVD石墨烯复合型掺杂结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201711469778.7 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108198746B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 徐鑫;姜浩;马金鑫 | 申请（专利权）人： | 重庆墨希科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 刘文娟 |
| 地址： | 401329 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能够实现石墨烯高效掺杂，并且保证长效掺杂效果的CVD石墨烯复合型掺杂结构及其制备方法。所述CVD石墨烯复合型掺杂结构，包括从上至下依次设置的CVD石墨烯层、复合掺杂层、封装层、目标衬底层；制备方法包括以下步骤：S1.在催化衬底上生成具有二维连续结构的石墨烯层；S2.对步骤S1所述石墨烯层进行活化处理得到CVD石墨烯层；S3.在步骤S2所述的CVD石墨烯层上形成复合掺杂层；S4.在步骤S3所述复合掺杂层上形成封装层；S5.分离催化衬底，得到活化石墨烯层/掺杂层/封装层的复合结构；S6.将步骤S5得到的复合结构放置到目标基底上，得到CVD石墨烯复合型掺杂结构。采用该CVD石墨烯复合型掺杂结构及其制备方法，能够获得稳定长效的掺杂效果。 | ||
| 搜索关键词： | cvd 石墨 复合型 掺杂 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.CVD石墨烯复合型掺杂结构，其特征在于：包括从上之下依次设置的CVD石墨烯层(102)、复合掺杂层(200)、封装层(300)、目标衬底层(400)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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