[发明专利]一种太阳电池划片方法在审
| 申请号： | 201711470803.3 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108321084A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 王鑫;杜永超;肖志斌;许军;铁剑锐 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/78;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 刘昕 |
| 地址： | 300384 天津市滨*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种太阳电池划片方法，包括在对电池片进行钝化腐蚀、蒸镀减反射膜之前，将电池片的主栅线所在边需要划片的部位划断，并将电池片需要划片的其他部位制备出沟槽,沟槽处保留的电池片厚度为50μm至电池片一半的厚度，沟槽的深度超过电池片的PN结的结深；并且在对电池片进行钝化腐蚀、蒸镀减反射膜之后将电池片从沟槽处裂片。该划片方法能实现太阳电池的分割，且保留的边角对大尺寸电池实现牢固固定；划槽后经过了钝化过程，可减少边缘漏电，提高太阳电池的性能；并且通过控制制备的沟槽的深度，实现一次划片完成电池的划片，避免了二次划片。 | ||
| 搜索关键词： | 电池片 划片 减反射膜 钝化 蒸镀 制备 腐蚀 大尺寸电池 漏电 钝化过程 主栅线 保留 边角 划槽 结深 裂片 电池 分割 | ||
【主权项】：
1.一种太阳电池划片方法，其特征在于：包括在对电池片进行钝化腐蚀、蒸镀减反射膜之前，将所述电池片的主栅线所在边需要划片的部位划断，并将所述电池片需要划片的其他部位制备出沟槽,所述沟槽处保留的电池片厚度为50μm至所述电池片一半的厚度，所述沟槽的深度超过所述电池片的PN结的结深；并且在对所述电池片进行钝化腐蚀、蒸镀减反射膜之后将所述电池片从所述沟槽处裂片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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