[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置在审
| 申请号： | 201711471524.9 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109994381A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 高鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，所述方法包括:提供半导体衬底，所述半导体衬底的正面形成有元胞区和环绕所述元胞区的终端区；在所述终端区上形成钝化层；减薄所述半导体衬底的背面；在所述钝化层上形成保护层。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，通过在终端区形成钝化层后先减薄半导体衬底背面，然后再在所述钝化层上形成保护层，从而使减薄工艺过程中终端区与元胞区的高度差较小，减少了碎片和微裂纹的发生和出现，并优化了减薄工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化层 终端区 减薄 半导体 半导体器件 元胞区 衬底 电子装置 保护层 制作 衬底背面 工艺窗口 工艺过程 高度差 微裂纹 背面 环绕 优化 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底的正面形成有元胞区和环绕所述元胞区的终端区；在所述终端区上形成钝化层；减薄所述半导体衬底的背面；在所述钝化层上形成保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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