[发明专利]一种氧化石墨烯过滤膜制造方法在审
申请号: | 201711471739.0 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108211811A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 袁志山;杨武斌;王成勇 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | B01D67/00 | 分类号: | B01D67/00;B01D71/02;G01N27/00 |
代理公司: | 惠州市超越知识产权代理事务所(普通合伙) 44349 | 代理人: | 陈文福 |
地址: | 510090 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种氧化石墨烯过滤膜制造方法。包括:首先提供一铜箔基板。接着,通过激光加工或者机械加工的方法在铜箔基板上制造出一系列微米孔阵列。接着,利用化学气相沉积法在铜箔基板表面与内孔壁上生长石墨烯得到石墨烯表面与石墨烯内孔壁。最后,将石墨烯铜箔基板表面与石墨烯内孔壁在空气中加热氧化得到氧化石墨烯铜箔基板表面与氧化石墨烯内孔壁。本发明结构与工艺简单,在物质分离领域有着较广的使用前景。 | ||
搜索关键词: | 铜箔基板 石墨烯 氧化石墨烯 内孔壁 过滤膜 制造 化学气相沉积 机械加工 激光加工 加热氧化 物质分离 微米孔 生长 | ||
【主权项】:
1.一种氧化石墨烯过滤膜制造方法,其特征在于,所述制作方法包括如下步骤:S1:提供一铜箔基板;S2:通过激光加工或机械加工的方法在铜箔基板上设置一系列微米孔阵列;S3:利用化学气相沉积法在铜箔基板表面与微米孔阵列的内孔壁上生长石墨烯获得石墨烯表面与石墨烯内孔壁;S4:将石墨烯铜箔基板表面与石墨烯内孔壁在空气中加热氧化获得氧化石墨烯铜箔基板表面与氧化石墨烯内孔壁。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东工业大学,未经广东工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711471739.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。