[发明专利]高压半导体装置有效
| 申请号： | 201711471935.8 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108269851B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 伊牧;陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种高压半导体装置。高压半导体装置包括位于基板结构上的栅极结构。位于基板结构内的漏极掺杂区。超接面掺杂结构，位于基板结构内，且接近漏极掺杂区。超接面掺杂结构包括多个第一导电类型掺杂次区，第一导电类型掺杂次区沿第一方向延伸且沿第二方向设置。多个第二导电类型掺杂次区，沿第一方向延伸且沿第二方向与第一掺杂部分交错设置。第一导电类型掺杂次区各自沿第二方向的宽度沿第二方向呈线性递减，和第二导电类型掺杂次区各自沿第二方向的宽度沿第二方向呈线性递减。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种高压半导体装置，其特征在于，所述的高压半导体装置包括：一基板结构；一栅极结构，位于所述基板结构上；一漏极掺杂区，位于所述基板结构内，且接近所述栅极结构的一第一侧；以及一超接面掺杂结构，位于所述基板结构内，且接近所述漏极掺杂区，其中所述超接面掺杂结构包括：多个第一导电类型掺杂次区，具有一第一导电类型，所述多个第一导电类型掺杂次区沿一第一方向延伸且沿一第二方向设置；以及多个第二导电类型掺杂次区，具有相反于所述第一导电类型的一第二导电类型，所述多个第二导电类型掺杂次区沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向与所述多个第一掺杂部分交错设置，其中所述多个第一导电类型掺杂次区各自沿所述第二方向的宽度沿所述第二方向呈线性递减，和其中所述多个第二导电类型掺杂次区各自沿所述第二方向的宽度沿所述第二方向呈线性递减。
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