[发明专利]一种半导体器件的失效分析方法及其设备在审
| 申请号： | 201711472606.5 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108387591A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 王艳 | 申请（专利权）人： | 苏州通富超威半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/956 | 分类号： | G01N21/956;G01N23/04 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 范丹丹;陈忠辉 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体器件的失效分析方法及其设备，该方法包括以下步骤：S1：对半导体器件进行失效位置分析确认失效信息；S2：确认目标位置的观测对象包括单个对象还是多个对象；S3：如确定观测对象包括单个对象，则检测单个对象的X和Y方向边界尺寸和方向；S4：如确定观测对象包括多个对象确认观测单个对象，检测单个对象的X和Y方向边界尺寸和方向；选择对应单个对象的电路布局图，根据检测到的边界尺寸和方向，对单个对象的观测画面与其电路布局图进行匹配，使单个对象在观测画面上各个组件与其电路布局图上的位置一一对应。该方法可将观测画面的位置与实际电路布局图上的位置匹配，快速找到观测对象目标，提高了失效分析效率。 | ||
| 搜索关键词： | 单个对象 观测对象 半导体器件 电路布局图 失效分析 观测 方向边界 检测 对象确认 目标位置 失效位置 失效信息 实际电路 位置匹配 布局图 匹配 分析 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的失效分析方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：S1：对所述半导体器件进行失效位置分析，确认此失效分析的元件和位置失效信息；S2：确认观测对象是包括单个对象还是多个对象；S3：如确定所述观测对象包括单个对象，则检测所述单个对象的X和Y方向边界尺寸和方向；S4：如确定所述观测对象包括多个对象，确认观测单个对象，检测所述单个对象的X和Y方向边界尺寸和方向；选择对应所述单个对象的电路布局图，根据检测到的所述边界尺寸和方向，对所述单个对象的观测画面与其电路布局图进行匹配，使所述单个对象在观测画面上各个组件与其电路布局图上的位置一一对应。
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