[发明专利]用于形成取代金属栅极的方法及相关装置

摘要

本发明涉及用于形成取代金属栅极的方法及相关装置，其提供一种方法用以在RMG加工期间排除线空穴及所得装置。数个具体实施例包括形成虚拟栅极于一衬底的PFET区及NFET区上面，各个虚拟栅极有在相对两侧的间隔体，以及填充在间隔体之间的空间的一ILD；移除所述栅极的虚拟栅极材料，形成一空腔于每一对间隔体之间；形成一高k介电层于该ILD及所述间隔体上面且于所述空腔中；形成一金属覆盖层于该高k介电层上面；形成一第一功函数金属层于该金属覆盖层上面；移除该PFET区的该第一功函数金属层；形成一第二功函数金属层于在该PFET区中的该金属覆盖层上面及于在该NFET区中的该第一功函数金属层上面；以及形成一金属层于该第二功函数金属层上面，填充所述空腔。

主权项

1.一种方法，其包含：形成虚拟栅极于一衬底的p型通道场效应晶体管(PFET)区及n型通道场效应晶体管(NFET)区上面，各个虚拟栅极具有形成于该虚拟栅极的相对两侧上的间隔体，以及在形成于该衬底中的源极/漏极(S/D)区上面的一层间电介质(ILD)，填充在所述间隔体之间的空间；移除所述栅极的虚拟栅极材料，形成一空腔于每一对间隔体之间；形成一高k介电层于该ILD及所述间隔体上面且于所述空腔中；形成一金属覆盖层于该高k介电层上面；形成一第一功函数金属层于该金属覆盖层上面；移除该PFET区的该第一功函数金属层；形成一第二功函数金属层于在该PFET区中的该金属覆盖层上面及于在该NFET区中的该第一功函数金属层上面；以及形成一金属层于该第二功函数金属层上面，填充所述空腔，以及形成数个取代金属栅极(RMG)。