[发明专利]复合薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201711473095.9 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109994621A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 吴龙佳 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种复合薄膜，所述复合薄膜包括依次层叠结合的N层薄膜，且所述N层薄膜为含有掺杂金属离子的纳米氧化锌薄膜，且从第一层薄膜到第N层薄膜，所述掺杂金属离子的掺杂浓度逐层升高，其中，所述掺杂金属离子的离子半径为Zn2+半径的85％‑115％；所述掺杂金属离子的氧化物的导带能级高于氧化锌的导带能级；所述N的取值范围满足：3≤N≤9。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂金属离子 薄膜 复合薄膜 能级 导带 纳米氧化锌薄膜 制备方法和应用 依次层叠 第一层 氧化锌 氧化物 离子 掺杂 升高 | ||
【主权项】：
1.一种复合薄膜，其特征在于，所述复合薄膜包括依次层叠结合的N层薄膜，且所述N层薄膜为含有掺杂金属离子的纳米氧化锌薄膜，且从第一层薄膜到第N层薄膜，所述掺杂金属离子的掺杂浓度逐层升高，其中，所述掺杂金属离子的离子半径为Zn2+半径的85％‑115％；所述掺杂金属离子的氧化物的导带能级高于氧化锌的导带能级；所述N的取值范围满足：3≤N≤9。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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